Samsung Electro-Mechanics and Qualcomm develop AI chip 2.1D packaging
消息称三星电机与高通合作开发基于有机桥片的 2.1D 先进封装
This development could lead to more affordable and powerful AI chips, potentially impacting the cost and performance of AI products in the market.
Samsung Electro-Mechanics (SEM) and Qualcomm are collaborating on a 2.1D advanced packaging for AI semiconductors, using embedded organic bridge chips. This approach, similar to Intel's EMIB but with cheaper organic materials instead of silicon, aims to reduce costs and avoid Intel's patents. The organic bridge chips are designed as small substrates formed by RDL process, targeting 1.5-2μm line width/spacing, 4-5μm via size, and 500-1000/mm pattern density, offering finer wiring and higher I/O bandwidth compared to traditional FC-BGA stacking.
消息称三星电机与高通合作开发基于有机桥片的 2.1D 先进封装
IT之家 9 月 14 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间本月 14 日报道称，三星电机 (SEM) 正与高通合作开发面向 AI 半导体芯片的 2.1D 先进封装，双方在该异构集成技术平台上已进行了超一年的研发与认证。 据悉两家企业的 2.1D 封装 采用了嵌入式有机桥片 。其设计思路类似英特尔的 EMIB，但以更平价的有机材料取代 EMIB 中的硅桥片。此举一方面可降低制造成本，也可规避英特尔持有的 EMIB 专利。 三星电机尝试的有机桥片 可视为以 RDL（重布线层）工艺形成 5~7 层微电路的小型衬底 ，目标实现 1.5~2μm 的线宽 / 间距、4~5μm 的通孔尺寸、500~1000/mm 的 图案密度。 与传统 FC-BGA 的堆叠式电路相比，有机桥片能够实现更精细的布线，从而带来更高的 I/O 带宽。