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创意电子发布台积电 N2P 工艺 HBM4E IP，速率达 16Gbps
创意电子推出台积电 N2P 工艺制程 HBM4E IP，支持 16Gbps 速率
精选理由
创意电子把 HBM4E IP 做到了 16Gbps，还是台积电 2nm 工艺，已经拿到 AI 芯片客户订单，做定制 ASIC 的可以关注。
芯片 IP 企业创意电子（GUC）于 9 月 22 日宣布，其 HBM4E 物理层（PHY）与控制器 IP 已完成设计定案，并获客户 AI ASIC 采用。该 IP 基于台积电 N2P 2nm 工艺，支持 16Gbps 数据传输速率，兼容 CoWoS-S/R/L 先进封装。另有面向 TSMC SoIC-X 3D 架构的 face-up 版本，集成 TSV 硅通孔结构以实现垂直信号与电源传输。
原文 · IT之家
创意电子推出台积电 N2P 工艺制程 HBM4E IP，支持 16Gbps 速率
IT之家 9 月 29 日消息，芯片设计服务与 IP 企业创意电子 (GUC) 本月 22 日宣布，其采用台积电 2nm 工艺制程 N2P 的 HBM4E 物理层 (PHY) 与控制器 (Controller) IP 已完成设计定案并 获得客户 AI ASIC 采用 。 创意电子的 HBM4E IP 支持 16Gbps 数据传输速率 ，提供业界领先的功耗与面积表现。其针对信号完整性、电源完整性进行优化，支持 CoWoS-S/R/L 先进封装。 而为支持 3D SoIC 架构，创意电子还 提供了专为 TSMC SoIC-X 技术设计的 face-up 版本 HBM4E IP 。这一变体集成用于垂直传输信号与电源的 TSV（硅通孔）结构，为复杂的 3D 整合架构建立完整的连接路径。
