HBM4E 相关 AI 资讯 · AI 热点

7月1日

15:42

15:42IT之家（博客/媒体）

精选73°

三星电子首席技术官 Song Jai Hyuk 在 6 月 30 日内简报会上表示，HBM4E 可靠性测试良率达 70% 以上，接近 80% 的成熟门槛。该公司已于 2 月量产 HBM4，5 月送样 12 层 HBM4E，计划用于英伟达 2026 年 Vera Rubin Ultra。同时，下一代 10 纳米级 D1d DRAM 工艺预计今年 11 月通过 PRA 量产审批，将用于 HBM5。研发部门内部出现薪酬结构抱怨，DS 部门奖金差距引发员工诉求。

AI模型三星 HBM4E HBM4 D1d AI内存

推荐理由：三星 HBM4E 良率冲到 70%，离量产不远了，还给下一代 AI 加速器 Vera Rubin Ultra 供货，内存赛道竞争加速。

14:47

14:47IT之家（博客/媒体）

精选

消息源称英伟达原定 2027 年推出的 Rubin Ultra AI 加速器因制造执行问题放弃 4-Die 方案，改为 2-Die 方案。4-Die 方案需搭配 16 个 HBM4E，面临先进封装接近光罩极限、散热难度飙升以及成本过高挑战。改用 2-Die 后性能缩水一半，可能在与 AMD Instinct MI500 系列竞争中降低竞争力。英伟达转向更易量产的 2-Die 版本。

AI产品 Rubin Ultra NVIDIA HBM4E AMD Instinct MI500 AI芯片

推荐理由：英伟达下一代AI芯片Rubin Ultra从4颗die砍到2颗，性能减半，因为封装和散热太难搞了。和AMD MI500比可能不占优。

6月18日

07:53

07:53IT之家（博客/媒体）

71°

SK海力士宣布向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品面向AI超高性能DRAM。引脚速率最高可达16Gbps，能效较HBM4提高20%以上。采用先进MR-MUF工艺，12层堆叠实现48GB容量，热阻降低约17%。该产品旨在提升AI训练与推理的数据处理能力，并降低数据传输延迟。

AI产品 HBM4E SK海力士 AI内存数据中心高性能DRAM

推荐理由：SK海力士给大客户送测了新一代HBM4E，速度更快、功耗更低，做AI训练和推理的硬件玩家可以关注。

6月14日

20:25

20:25IT之家（博客/媒体）

73°

据韩媒inews24消息，SK海力士正筹备向主要客户送样第七代HBM4E，首批样品最快本月出货，最迟下月。HBM4E计划明年量产，今年下半年需完成客户测试验证。SK海力士的HBM4E预计用于英伟达下一代AI加速器Rubin Ultra，后者计划明年发布。三星已于5月29日率先向英伟达等客户交付业界首批12层HBM4E样品。

行业 SK海力士 HBM4E 三星英伟达高带宽内存

推荐理由：SK海力士HBM4E样品即将出货

6月3日

17:16

17:16IT之家（博客/媒体）

精选

SK海力士在COMPUTEX 2025上展出HBM4E 48GB 12Hi样品，基于12层堆叠32Gb 1cnm DRAM Die，引脚速率16.0Gbps，单堆栈带宽达4.0TB/s。相比上代，带宽提升38%，单Die容量提升33%。同时展示了基于V9 TLC的DRAM-less PCIe Gen5客户端固态硬盘PVF01，以及适配NVIDIA DGX Spark的16GB LPDDR5X-8533等产品。

AI产品 SK海力士 HBM4E 48GB 16Gbps 内存

推荐理由：存储巨头秀HBM4E新料

5月29日

08:48

08:48IT之家（博客/媒体）

精选

三星电子宣布向全球主要客户交付业界首批 12 层 HBM4E 样品，这是高带宽内存领域的重要进展。HBM4E 提供 14Gbps 引脚速度并可扩展至 16Gbps，带宽达 3.6 TB/s，相比 HBM4 提升 20%。它结合 1c nm DRAM 和 4nm 逻辑裸晶，能效提升 16%，热阻改进 14%。单堆栈容量 48GB，未来还将推出 8Hi 32GB 和 16Hi 64GB 版本。三星计划根据客户进度开始批量生产，这将加速 LLM 和下一代 AI 系统的性能提升。

行业三星 HBM4E 高带宽内存 AI 算力 LLM

推荐理由：HBM4E 是 AI 算力的关键瓶颈突破，做大规模模型训练和推理的团队值得关注——带宽提升 20% 直接缩短训练时间，能效改进还能降低数据中心成本。

5月25日

22:31

22:31IT之家（博客/媒体）

精选

美光科技宣布其第六代高带宽内存 HBM4 正在顺利扩大产能，量产爬坡速度是去年 HBM3E 的两倍，良率提升更快。HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台，得益于 HBM3 和 HBM3E 的经验积累、1-beta 工艺的稳定性以及优化的基础裸片设计。下一代 HBM4E 将改用 1-gamma 工艺，基础裸片由台积电代工，美光计划明年启动量产。三星和 SK 海力士也在推进 HBM4E 开发，分别计划今年第二季度和下半年提供样品。

行业美光 HBM4 HBM4E AI 芯片存储技术

推荐理由：美光 HBM4 产能翻倍提速，直接利好英伟达下一代 AI 平台，做 AI 基础设施或关注存储芯片的团队值得关注。HBM4E 转向台积电代工，产业链格局正在变化，建议点开了解具体策略。