15:42IT之家(博客/媒体)精选73°三星电子首席技术官 Song Jai Hyuk 在 6 月 30 日内简报会上表示,HBM4E 可靠性测试良率达 70% 以上,接近 80% 的成熟门槛。该公司已于 2 月量产 HBM4,5 月送样 12 层 HBM4E,计划用于英伟达 2026 年 Vera Rubin Ultra。同时,下一代 10 纳米级 D1d DRAM 工艺预计今年 11 月通过 PRA 量产审批,将用于 HBM5。研发部门内部出现薪酬结构抱怨,DS 部门奖金差距引发员工诉求。AI模型三星HBM4EHBM4D1dAI内存推荐理由:三星 HBM4E 良率冲到 70%,离量产不远了,还给下一代 AI 加速器 Vera Rubin Ultra 供货,内存赛道竞争加速。原文