华邦电子：第二代 14nm DRAM 将导入 EUV，预计 2030 年应用
华邦电子：14nm DRAM 内存将有 EUV 版本，有望 2030 年导入
华邦要把 EUV 用到 14nm DRAM 上，2030 年落地，还跟 ASML 绑定合作 3.5 年了，存储圈的动作可以看看。
利基型存储器厂商华邦电子总经理陈沛铭表示，公司计划在第二代 14nm 级 DRAM 工艺中引入 EUV 光刻技术，预计 2030 年导入。华邦已与 ASML 在 EUV 上合作 3.5 年，正派员工赴 ASML 培训，首台 EUV 光刻机约 2 年后交付。华邦近期还通过总额 713.63 亿新台币（约 143.94 亿元人民币）的高雄 Module B 新建预算。陈沛铭认为 2027~2028 年 AI 数据中心建设受政治环境影响有限，2029 年市场走向取决于 CSP 的资金状况。
华邦电子：14nm DRAM 内存将有 EUV 版本，有望 2030 年导入
IT之家 11 月 9 日消息，据台媒《MoneyDJ 理财网》消息，利基型存储器制造商华邦电子 (Winbond) 总经理陈沛铭表示， 计划在企业的第二代 14nm 级 DRAM 内存工艺中应用 EUV 光刻技术 ，若开发顺利预计 2030 年导入。 陈沛铭提到，该企业已在 EUV 上同 ASML 展开 3.5 年的合作，目前正派遣员工赴 ASML 接受培训，为后续的工艺导入进行准备。 ASML 向华邦承诺首台 EUV 光刻机交付时间约 2 年 ，后续设备则要等待 3.5 年。 华邦电子近期通过了总额 713.63 亿新台币 （IT之家注：现汇率约合 143.94 亿元人民币） 的高雄 Module B 新建预算。陈沛铭称这笔资金覆盖土建、机电和部分长交货周期设备， 并非新晶圆厂全部投资 。该厂具体建设方案将随时间推移逐步确定。 谈及外部政治环境变化对 AI 数据中心的冲击，陈沛铭认为 2027~2028 年建设受到的影响相对有限 ，但 2029 年时 CSP（云服务供应商）的资金情况将决定市场是否会进入下行调整周期。 参考 https://www.moneydj.com/KMDJ/news/newsviewer.aspx ?a= 24b8a1ff-b75b-4fe6-aeb2-bbc375757126
