HBM和先进封装是AI芯片性能的关键瓶颈，SK海力士与台积电的联手将直接影响下一代AI硬件迭代速度，关注AI基础设施的从业者和投资者值得跟进。
SK集团董事长崔泰源与台积电董事长魏哲家在2026台北电脑展会面，同意在下一代HBM开发和先进封装领域深化合作，以巩固在AI市场的领先地位。双方将加快定制化AI存储器市场的布局。SK海力士在展会上展示了HBM4E 48GB 12Hi样品，带宽提升38%，容量提升33%。英伟达CEO黄仁勋也参观了SK海力士展台。
SK 集团崔泰源和台积电魏哲家会面，同意深化在 HBM 和先进封装领域的合作
IT之家 6 月 4 日消息，SK 海力士官网 6 月 3 日发文，SK 集团董事长崔泰源当日在 2026 台北电脑展会见了台积电董事长兼 CEO 魏哲家， 双方就下一代 AI 技术的最新趋势交换了意见 ，并就如何共同塑造 AI 生态系统的未来进行了深入探讨。 ▲ SK 集团董事长崔泰源（左）会见台积电董事长兼 CEO 魏哲家（右） 双方同意进一步拓展在下一代 HBM 开发和先进封装领域的合作 ，共同努力在快速发展的 AI 市场中保持领先地位。 展望未来，两家公司计划加快步伐，巩固其在定制化 AI 存储器市场的地位。 IT之家注意到，英伟达 CEO 黄仁勋 6 月 2 日也前往 SK 海力士的 2026 台北国际电脑展展台，与崔泰源进行了合影，并在 SK 海力士展品上签名。 SK 海力士今年在台北国际电脑展上展出了 HBM4E 48GB 12Hi 样品。 这一内存应基于 12 层堆叠的 32Gb 1cnm DRAM Die，引脚速率达到 16.0Gbps，单堆栈带宽达到 4.0TB/s。SK 海力士宣称其 HBM4E 48GB 12Hi 实现了 38% 的带宽提升和 33% 的单 Die 容量提升。 而在客户端存储部分，SK 海力士展出了一系列 DRAM 和 NAND 产品，并确认基于 V9 TLC、主打能效的 PVF01 是其首款 DRAM-less 架构 PCIe Gen5 客户端固态硬盘 (cSSD)。