11:11IT之家（博客/媒体）
推荐理由：台积电搞出了单层MoS2顶栅极晶体管，发在自然电子学上，为1纳米以下制程探路，想了解后硅时代可以看看。
二硫化钼
共 1 条相关 AI 资讯
8月7日
11:11
台积电联合阳明交通大学团队研发出单层二硫化钼（MoS2）顶栅极晶体管，成果发表在《自然-电子学》上。该晶体管采用原子级厚度的二维半导体材料，旨在突破硅基半导体在1纳米以下节点的物理极限。业界预计MoS2将在0.7纳米（A7制程）的CFET时代正式引入。应用材料、ASML、爱思强等设备厂商已在布局对应的设备与技术。