台积电搞出了单层MoS2顶栅极晶体管，发在自然电子学上，为1纳米以下制程探路，想了解后硅时代可以看看。
台积电联合阳明交通大学团队研发出单层二硫化钼（MoS2）顶栅极晶体管，成果发表在《自然-电子学》上。该晶体管采用原子级厚度的二维半导体材料，旨在突破硅基半导体在1纳米以下节点的物理极限。业界预计MoS2将在0.7纳米（A7制程）的CFET时代正式引入。应用材料、ASML、爱思强等设备厂商已在布局对应的设备与技术。
有助于突破摩尔定律极限，台积电等研发出单层二硫化钼 MoS2 顶栅极晶体管
IT之家 8 月 7 日消息，据台媒经济日报消息，台积电在下一代技术领域取得重大突破。 台积电联合阳明交通大学团队，成功研发出高性能单层二硫化钼（MoS 2 ）顶栅极晶体管， 有助于突破摩尔定律极限 ，为开启“后硅”时代带来全新契机，相关研究成果已发表于学术期刊《自然-电子学》。 业界指出，为突破摩尔定律的极限，当半导体制程迈入 1 纳米以下节点时，寻找新材料已成为必然趋势。其中，二硫化钼（MoS 2 ）作为备受瞩目的新型二维半导体材料， 预计将在约 1 纳米以下的 0.7 纳米（A7 制程）/CFET（互补场效应晶体管）时代正式引入 。 包括应用材料、阿斯麦（ASML）、爱思强（AIXTRON）、ASM International 以及泛林集团（Lam Research）在内的半导体设备巨头，均在积极投入研发对应二硫化钼新材料的设备与技术需求。 据介绍，手机、电脑乃至未来的 AI 智能设备，都需要运算速度更快、功耗更低的半导体芯片。然而，传统的硅基半导体技术已逐步逼近其物理极限。 为此，全球科学家都在积极探索下一代半导体材料。而“二维半导体”由于薄至仅有原子级厚度，被视为延续摩尔定律、推动芯片持续微缩与性能提升的关键突破口。 IT之家附论文链接： https://www.nature.com/articles/s41928-026-01672-7