SK 海力士联合研发忆阻器 AI 芯片:理论峰值约 2.54 TOPS,能效 21.3 TOPS/W
SK海力士和TetraMem、南加大联手做了个忆阻器AI芯片,能效21.3 TOPS/W,适合边缘设备,省电又够用。
IT之家原文
SK海力士和TetraMem、南加大联手做了个忆阻器AI芯片,能效21.3 TOPS/W,适合边缘设备,省电又够用。
存内计算是突破冯·诺依曼瓶颈的关键路径,做边缘 AI 或低功耗设备的开发者值得关注——TetraMem 的 22nm SoC 验证意味着这项技术离量产又近了一步。