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7月11日

10:22

10:22IT之家（博客/媒体）

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SK 海力士联合 TetraMem、南加州大学开发基于忆阻器的存内计算 SoC，面向边缘 AI 推理。芯片集成 RISC-V 处理器和 10 个神经处理单元，理论峰值总算力约 2.54 TOPS。通过双子阵列补偿技术将有效权重精度提升至约 4 位，实测端到端推理准确率 80.36%。在 100 MHz 下能效为 21.3 TOPS/W，400 MHz 下为 11.9 TOPS/W。

AI产品 SK海力士 TetraMem 忆阻器 RISC-V 存内计算

推荐理由：SK海力士和TetraMem、南加大联手做了个忆阻器AI芯片，能效21.3 TOPS/W，适合边缘设备，省电又够用。

5月26日

18:17

18:17IT之家（博客/媒体）

硅谷 AI 芯片初创企业 TetraMem 宣布其 22nm SoC MLX200 在台积电制程上完成芯片验证，评估套件预计 2026 年下半年推出。该芯片采用“模拟内存计算”技术，通过 RRAM 阵列直接在内存中完成向量矩阵乘法，大幅缩短数据传输距离，实现低功耗低延迟的 AI 推理。TetraMem 瞄准可穿戴设备、边缘 IoT、传感器和嵌入式系统等细分场景，为边缘 AI 提供高效能解决方案。这一进展标志着存内计算从概念走向实际产品化，有望改变边缘设备的 AI 部署方式。

AI产品存内计算 AI 芯片边缘计算低功耗 TetraMem

推荐理由：存内计算是突破冯·诺依曼瓶颈的关键路径，做边缘 AI 或低功耗设备的开发者值得关注——TetraMem 的 22nm SoC 验证意味着这项技术离量产又近了一步。