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存内计算

共 4 条相关 AI 资讯
7月11日
10:22
10:22IT之家(博客/媒体)
精选
SK 海力士联合 TetraMem、南加州大学开发基于忆阻器的存内计算 SoC,面向边缘 AI 推理。芯片集成 RISC-V 处理器和 10 个神经处理单元,理论峰值总算力约 2.54 TOPS。通过双子阵列补偿技术将有效权重精度提升至约 4 位,实测端到端推理准确率 80.36%。在 100 MHz 下能效为 21.3 TOPS/W,400 MHz 下为 11.9 TOPS/W。
AI产品SK海力士TetraMem忆阻器

推荐理由:SK海力士和TetraMem、南加大联手做了个忆阻器AI芯片,能效21.3 TOPS/W,适合边缘设备,省电又够用。
原文
7月5日
07:14
07:14IT之家(博客/媒体)
71°
北京大学杨玉超团队联合中科院上海微系统所等在《科学》发表论文,成功研制全球首个基于相变忆阻器的毫秒级神经动力学系统芯片。该芯片采用40纳米工艺,单步运算时延压缩至2.12毫秒,首次进入毫秒级。相比专用加速器速度提升3.82~36.27倍、功耗降低11.75~24.73倍;在脑皮层表面重建任务中比NVIDIA A100 GPU提速50.38~478.18倍。研究解决了相变忆阻器“可控存内计算”国际难题。
AI模型相变忆阻器神经动力学存内计算
事件专题

推荐理由:中国团队用相变忆阻器造出神经动力学芯片,比A100快几百倍还省电,脑机接口的实时建模有戏了。
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6月4日
21:03
21:03IT之家(博客/媒体)
精选
韩国 AI 芯片企业 DeepX 宣布其 2nm 端侧 AI 芯片 DX-M2 将采用三星电子的 LPDDR5X-PIM 存内计算解决方案。PIM 技术将数据处理器集成在 DRAM 中,能减少数据移动,提升能效和计算效率。DX-M2 算力达 80 TOPS,上市价格低于 50 美元,瞄准端侧 AI 应用。后续型号 DX-M3 目标算力 1000 TOPS,将搭配标准化的 LPDDR6-PIM。这标志着存内计算技术从实验室走向商业化落地。
AI产品存内计算PIMDeepX

推荐理由:存内计算终于有了明确的商业化路径——DeepX 用不到 50 美元的芯片把 PIM 技术带到端侧,做边缘 AI 和低功耗推理的团队值得关注。
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5月26日
18:17
18:17IT之家(博客/媒体)
硅谷 AI 芯片初创企业 TetraMem 宣布其 22nm SoC MLX200 在台积电制程上完成芯片验证,评估套件预计 2026 年下半年推出。该芯片采用“模拟内存计算”技术,通过 RRAM 阵列直接在内存中完成向量矩阵乘法,大幅缩短数据传输距离,实现低功耗低延迟的 AI 推理。TetraMem 瞄准可穿戴设备、边缘 IoT、传感器和嵌入式系统等细分场景,为边缘 AI 提供高效能解决方案。这一进展标志着存内计算从概念走向实际产品化,有望改变边缘设备的 AI 部署方式。
AI产品存内计算AI 芯片边缘计算

推荐理由:存内计算是突破冯·诺依曼瓶颈的关键路径,做边缘 AI 或低功耗设备的开发者值得关注——TetraMem 的 22nm SoC 验证意味着这项技术离量产又近了一步。
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