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推荐理由：三星在FMS拿出超400层V10 BV-NAND，密度提升58%，还有zHBM概念，想了解AI存储路线图可以看看。
zHBM
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8月5日
07:31
三星在FMS 2026推出业界首款V10 BV-NAND，层数超400层，相较上代V9存储密度提升约58%。同时发布zHBM概念，将HBM垂直堆叠在AI加速器上，性能约为HBM5的8倍，密度超10倍。另一款zNAND-O面向边缘AI，正在开发4层与8层版本。三星还展示了HBM4E、LPDDR5X-PIM等产品，其中LPDDR5X-PIM是行业首款存内处理LPDDR内存。