4F² 是 DRAM 内存单元面积的理论极限值，指单个存储单元仅占 4 倍特征尺寸的平方，因晶体管与电容在垂直方向堆叠而无法再压缩，被视为 1x 纳米之后 DRAM 微缩的核心指标。目前主流 DRAM 单元面积仍大于 4F²，能否真正实现 4F² 架构，正在成为衡量各家存储厂商下一代工艺竞争力的关键。这一概念也常写作 4f² 或 4F2，在学术和产业报道中均有出现。
4F² DRAM 的近期进展
当前焦点与观察点
围绕 4F² 的核心争议在于路线选择：一边是以长鑫为代表的架构创新派，直接尝试 4F² 单元设计；另一边是以美光为代表的渐进派，认为现有材料与工艺下 4F² 缺乏经济可行性，转向晶圆键合、High NA EUV 和混合键合等手段。值得注意的是，这两条路线并不互斥——无论是平面微缩还是 3D 堆叠，最终目标都是突破 4F² 所代表的密度天花板。
观察点包括：年底长鑫 DDR5 RDIMM 的实际性能与良率表现、美光 1ε 节点晶圆键合的量产进度、三星亚 10nm 混合键合方案的可靠性，以及 3D DRAM 在数据保持与堆叠层数上的演进。对于关注存储产业的读者而言，4F² 能否在 2025 年前后实现商用，将是判断 DRAM 技术竞争格局变化的重要信号。