High-NA（高数值孔径）EUV 光刻机是 ASML 推出的下一代极紫外光刻设备，通过将镜头数值孔径从 0.33 提升到 0.55，实现更高分辨率的芯片图案曝光，被普遍视为 2nm 以下先进制程的关键装备。整机重约 150 吨，单价相当于一架波音 777 客机，目前台积电、三星、英特尔三家巨头都在围绕它布局各自的量产路线图。
High-NA EUV 各厂商量产时间表
目前进展最快的仍是英特尔。ASML 确认，英特尔成为全球首家实现 High NA EUV 逻辑芯片高产量出货的企业。用时不到两年半，英特尔 High-NA EUV 晶圆处理量突破百万片，超越其他厂商总和。英特尔基于该技术的 14A 制程计划 2027 年下半年风险试产，2029 年量产，CEO 陈立武称其缺陷密度曲线是 22nm 以来最佳表现。
台积电和三星则给出了更靠后的时间点。两家已确认分别于 2028、2030 年将 High NA EUV 用于量产。台积电 CEO 魏哲家强调下一代芯片制造并未落后，公司已购买阿斯麦设备。ASML CEO 富凯也透露，首批 High-NA 光刻机生产的芯片将在数月内面世。
当前焦点与观察点
当前围绕 High-NA 的主要分歧在于导入节奏。有消息称三星暂缓引入 High-NA EUV 技术，原因是财务考量而非技术瓶颈——设备极其昂贵，工艺产线还需重新校准，这让财务压力较大的厂商选择观望。
接下来的观察点主要有三个：一是英特尔能否把百万片晶圆的工程积累转化为 14A 的良率优势；二是台积电、三星在 2028/2030 节点前是否会调整策略，特别是三星的暂缓是暂时性还是趋势性；三是首批量产芯片上市后，High-NA 相比标准 EUV 在成本与性能上的实际表现能否兑现预期。