07:53IT之家(博客/媒体)71°SK海力士宣布向主要客户供应12层HBM4E样品,该产品面向AI超高性能DRAM。引脚速率最高可达16Gbps,能效较HBM4提高20%以上。采用先进MR-MUF工艺,12层堆叠实现48GB容量,热阻降低约17%。该产品旨在提升AI训练与推理的数据处理能力,并降低数据传输延迟。AI产品HBM4ESK海力士AI内存数据中心高性能DRAM推荐理由:SK海力士给大客户送测了新一代HBM4E,速度更快、功耗更低,做AI训练和推理的硬件玩家可以关注。原文
07:48IT之家(博客/媒体)精选英伟达与SK海力士宣布多年期技术合作,共同研发面向AI工厂的下一代内存。SK海力士将为英伟达的Vera Rubin AI超级计算机、Vera CPU、RTX Spark PC及Jetson Thor机器人平台定制专用内存,并进入AI基础设施、个人AI及物理AI新市场。合作还包括SK海力士采用英伟达CUDA-X库、PhysicsNeMo框架加速芯片仿真,以及利用Omniverse和cuOpt构建晶圆厂数字孪生。该协议旨在满足高端内存延长开发周期的需求,确保内存供应跟上英伟达的AI基础设施路线图。行业英伟达SK海力士AI内存AI基础设施芯片制造1 个信源在谈推荐理由:AI基础设施的瓶颈之一就是内存,英伟达和SK海力士联手定制专用内存,做AI训练和推理的团队可以关注——这直接关系到下一代超级计算机和机器人平台的性能上限。原文
14:13IT之家(博客/媒体)精选72°英特尔联合力积电(PSMC)和软银旗下SAIMEMORY,将在VLSI 2026会议上展示一种新型3D DRAM堆叠方案Via-in-One TSV。该架构通过多晶圆后通孔和超薄硅基底等技术,实现了约0.25 Tb/s/mm²的带宽和低于0.35 W/mm²的数据传输功耗,同时将数据移动能耗降至0.7 pJ/bit以下。完整9层DRAM堆叠已完成功能验证,工作电压范围0.95V-1.2V,并通过可靠性测试。这一突破有望解决AI训练和推理中带宽与功耗的平衡难题。AI产品英特尔DRAM堆叠AI内存高带宽低功耗推荐理由:AI训练和推理团队长期受困于显存带宽与功耗的拉扯,英特尔的9层堆叠方案直接给出0.25 Tb/s/mm²带宽和0.35 W/mm²功耗的硬指标,做高性能计算或AI芯片的开发者值得关注这一技术路线。原文