Industry15:56
Chinese content消息称三星电子计划明年初完成先进封装技术“3D Cube-H”开发三星把封装端子间距从 25 μm 压到 6 μm，靠混合键合垂直堆芯片，直接冲着超高性能 AI 芯片去的。做 AI 硬件采购和代工供应链的都该盯一下，这会影响下一代 HBM 和 AI 加速器的产能格局。
IT之家Source
三星把封装端子间距从 25 μm 压到 6 μm，靠混合键合垂直堆芯片，直接冲着超高性能 AI 芯片去的。做 AI 硬件采购和代工供应链的都该盯一下，这会影响下一代 HBM 和 AI 加速器的产能格局。