09:30IT之家(博客/媒体)精选闪迪新专利(US 12,430,274 B2)提出将搭载CMOS键合阵列的NAND闪存存储裸片堆叠在主计算裸片下方,主计算裸片可为AI加速器或GPU。与HBM DRAM共存于同一中介层,HBM负责低延迟高优先任务,NAND闪存承担大容量读写。单组HBF堆叠容量最高4TB,而HBM单堆仅32~64GB。宽通道互联降低传输延迟、硬件成本和功耗。该架构尚在专利阶段,量产面临功耗和制造成本挑战。AI模型闪迪NAND闪存HBM3D堆叠存储架构推荐理由:闪迪把海量NAND闪存直接堆到GPU底下,单堆容量冲到4TB,比HBM大几十倍,延迟还低,存储瓶颈的新解法来了。原文
14:20IT之家(博客/媒体)精选铠侠宣布将于2026年夏天出样BiCS10 1Tb TLC NAND闪存,采用332层设计,用于支持PCIe Gen6的企业级固态硬盘。铠侠认为仅靠提升堆叠层数已无法优化成本,332层相比400层产品可降低10%成本、提升10%能效和35%可靠性。公司预测2026-2028年NAND市场出货容量年复合增长22%,其中AI推理领域增速达86%。铠侠将聚焦数据中心和企业业务,目标营收占比超60%,并计划大幅增加资本和研发支出。行业铠侠NAND闪存企业级SSDPCIe Gen6数据中心推荐理由:存储行业正面临供需失衡,铠侠的332层策略为数据中心和AI推理场景提供了更优性价比,做企业级存储或AI基础设施的团队值得关注这一技术路线。原文
09:56IT之家(博客/媒体)乔治亚理工学院科研人员开发出一种基于铁电材料(氧化铪)的新型NAND闪存,其抗辐射能力是传统NAND的30倍,可承受高达100万拉德(相当于1亿次X光胸透)的辐射。传统NAND闪存通过俘获电荷存储数据,在太空辐射下易损坏;而铁电NAND利用材料的极化状态存储,对辐射具有强抵抗力。该芯片覆盖了从近地轨道到深空任务的辐射范围,为太空AI系统和数据存储提供了可靠方案。相关成果已发表在《Nano Letters》上。论文NAND闪存铁电材料太空存储抗辐射氧化铪推荐理由:太空AI系统需要极端环境下的可靠存储,做航天电子或卫星存储的团队可以直接关注这项技术——它解决了传统NAND在辐射下数据丢失的核心痛点,建议点开了解氧化铪材料的实际测试数据。原文
11:31IT之家(博客/媒体)铠侠(Kioxia)预估2026财年第一财季净利润达8690亿日元,同比增长48倍,成为日本最直接受益于生成式AI投资浪潮的半导体企业之一。公司2025财年营收2.34万亿日元,同比增长37%,归母净利润5544.9亿日元,同比增长103.6%。核心产品NAND闪存因AI数据中心建设需求强劲而销量大增,面向数据中心销售额同比增长约40%。公司上市仅1年半市值扩大约30倍,已升至日本企业第4位。行业铠侠NAND闪存AI数据中心半导体业绩增长推荐理由:AI数据中心建设对NAND闪存的需求爆发,铠侠的业绩增长直接反映了这一趋势。关注存储芯片和AI基础设施的投资者、半导体从业者,可以从这个案例看到AI投资浪潮的实际落地效果,值得点开了解具体数据。原文