SK海力士砸54.3万亿韩元扩产，主攻HBM和NAND，AI存储需求确实凶猛。
SK海力士宣布投入54.3万亿韩元（约合2580亿元人民币）在韩国龙仁和清州建设新半导体基地。龙仁第二座晶圆厂Y2投资35.2万亿韩元，用于生产HBM和下一代DRAM；清州M17 NAND闪存工厂投资19.1万亿韩元。Y2工厂预计2027年7月开工，2029年6月启用首个无尘室；M17计划2027年2月施工，2028年12月投入使用。投资将分阶段持续至2031年，以扩大先进存储芯片产能应对AI需求。
SK 海力士宣布投资 54.3 万亿韩元，在韩国龙仁和清州建设半导体新工厂
IT之家 8 月 10 日消息，据外媒 The Elec 报道，SK 海力士宣布将投入总计 54.3 万亿韩元 （IT之家注：现汇率约合 2,580.34 亿元人民币） 建设位于韩国龙仁和清州的新半导体生产基地，以扩大先进存储芯片产能。其中龙仁半导体集群第二座晶圆厂（Y2）将投资 35.2 万亿韩元 （现汇率约合 1,672.7 亿元人民币） ，清州新建 M17 NAND 闪存工厂将投资 19.1 万亿韩元 （现汇率约合 907.63 亿元人民币） 。 据报道，龙仁半导体集群第二座晶圆厂总建筑面积约 34.1 万坪（约 112.7 万平方米），主要用于生产高带宽内存（HBM）以及下一代 DRAM 产品。按照计划，该工厂预计将于 2027 年 7 月开始施工，首个无尘室预计于 2029 年 6 月启用，相关投资将分阶段持续至 2031 年 10 月。 SK 海力士表示，相应项目的投资范围不仅包括晶圆制造厂建设，还涵盖员工办公及福利设施等配套建筑、整合产品测试、分析和研发功能的一体化研发中心，以及污水处理设施、能源管道、变电站和仓储设施等基础设施。 而在清州 M17 NAND 闪存工厂方面，该工厂将成为 SK 海力士新的 NAND 闪存生产基地。公司表示，随着 AI 服务快速普及，尤其是企业级 SSD 需求持续增长，市场对 NAND 产品的需求正在提升，预计随着 AI 智能体和物理 AI 的进一步发展，NAND 闪存的应用场景将继续扩大。 目前，SK 海力士清州园区已经运营 M11、M12 和 M15 三座 NAND 生产工厂。公司表示，新工厂将通过与现有生产体系整合，提高整体制造效率。同时，该地区已经具备完善的土地、电力和供水等基础条件。 M17 工厂总建筑面积约 20.6 万坪（约 68.1 万平方米），计划于 2027 年 2 月开始施工，首个无尘室预计于 2028 年 12 月投入使用。相关投资将持续至 2031 年 4 月，并根据工程进度分阶段实施。